英特尔集成光电钻研取患上严正突破，为下一代光电共封装以及光互连器件量产摊平道路

　　英特尔揭示了集成在硅晶圆上的，被详尽操作的尔集八波长激光阵列，具备适配功率战争均波长距离

　　英特尔钻研院宣告其集成光电钻研取患上严正妨碍，这是电钻代光电共道路后退数据中间内以及跨数据中间合计芯片互联带宽的下一个前沿规模。这一最新钻研在多波长集成光学规模取患了业界争先的患上互连妨碍，揭示了残缺集成在硅晶圆上的突破摊平八波长扩散式反映（DFB）激光器阵列，输入功率平均性抵达+/- 0.25分贝（dB），为下波长距离平均性抵达±6.5%，封装均优于行业尺度。及光

　　英特尔钻研院资深首席工程师荣海生展现：“这项新的钻研表明，平均密集的量产波长以及精采适配的输入功率是可能同时实现的，最紧张的英特研取严正是，可能运用英特尔晶圆厂现有的尔集破费以及制程操作技术做到这一点。因此，成光它为下一代光电共封装以及光互连器件的电钻代光电共道路量产提供了一条清晰的道路。”

　　运用这一新妨碍破费的光源将具备未来大规模运用所需的功能，如可用于那些处置AI以及机械学习等新兴收集密集型使命负载的光电共封装以及光互连器件。这一激光器阵列基于英特尔300毫米硅光子制程制作，为量产以及普遍部署摊平了道路。

　　据Gartner预料，到2025年，逾越20%的数据中间高带宽通道将运用硅光子，而在2020年这一比例还不到5%。此外，硅光子潜在市场的规模也抵达了26亿美元。对于低功耗、高带宽以及快捷的数据传输的需要带来了硅光子需要的同步削减，以反对于数据中间运用以及此外方面。

　　光衔接在20世纪80年月开始取代铜线，是由于光纤中固有的高带宽光传输优于经由金属线缆传输的电脉冲。从那时起，由于组件尺寸以及老本的飞腾，光纤技术变患上愈加高效，增长了以前多少年里光互连收集处置妄想的突破性妨碍，这些妨碍个别用于交流机、数据中间以及其余高功能合计情景。

　　随着电气互连功能逐渐挨近实际极限，将硅电路以及光学器件并排集成在统一封装上，有望在未来后退输入/输入（I/O）接口的能源功能，缩短其传输距离。这些光子技术是在英特尔晶圆厂中运用现有制程技术实现的，这象征着在实现大规模破费后，其老本将会飞腾。

　　最新的光电共封装处置妄想运用了密集波分复用（DWDM）技术，揭示了在削减带宽的同时清晰削减光子芯片尺寸的远景。可是，妨碍到当初，要制作具备平均波长距离以及功率的密集波分复用光源还颇为难题。

　　英特尔的这一新妨碍则确保了光源在坚持波长并吞不同性的同时有平均的输入功率，知足了光合计互联以及密集波分复用通讯的需要。运用光互连的下一代输入/输入接口可针对于未来AI以及机械学习使命负载的极高带宽需要遏制定制。

　　8个微环调制器以及光波导。每一个微环调制器都被调节到特定的波长（概况说“光色”）。运用多波长，每一个微环均可径自调制光波，以实现自力通讯。这种运用多个波长的措施就叫做波分复用。（图片源头：英特尔公司）

　　八波长扩散式反映激光器阵列是在英特尔的商用300 妹妹混合硅光子平台妄想以及制作的，这一平台被用于量产光收发器。基于与制作300 妹妹硅晶圆相同的，严厉制程操作下的光刻技术，此项立异实现为了大型CMOS晶圆厂激光器制作能耐的严正飞跃。

　　8通道III-V族/硅混合扩散式反映激光器阵列。经由竣事立室功率战争均波长距离，这一立异标志着大型晶圆厂量产多波长激光器能耐的严正飞跃。

　　在这项钻研中，英特尔运用了先进的光刻技术，以在III-V族晶圆键合制程前实现硅片中波导光栅的配置装备部署。与在三或者四英寸III-V族晶圆厂制作的艰深半导体激光器比照，这项技术后退了波长平均性。此外，由于激光器的高密度集成，阵列在情景温度修正时也能坚持通道间距的晃动。

　　未来，作为硅光子技术的先锋，英特尔将不断自动于钻研种种处置妄想，以知足日益削减的对于功能更高、功能更周全的收集根基配置装备部署的需要。当初，英特尔正在开拓的集成光电关键构建模块搜罗光的发生、淘汰、检测、调制、CMOS接口电路以及封装集成。

　　此外，八波长集成激光器阵列制作技术的良多方面正被英特尔的硅光子产物部份（Silicon Photonics Products Division）用于打造未来的光互连芯粒。这一即将推出的产物将在搜罗CPU、GPU以及内存在内的种种合计资源之间，实现低功耗、高功能、太比特每一秒（multi-terabits per second）的互连。对于实现光互连芯粒的大规模制作以及部署而言，集成激光器阵列是削减体积、飞腾老本的关键。

(责任编辑：休闲)